обратный ток p n

Слайд 14: Переходные процессы | Презентация: Диод.ppt | Тема: Полупроводники | Урок: Физика

- В n-полупроводниках такая зона перекрывается с зоной проводимости, а в p-полупроводниках с валентной зоной. Ток впадины Iв и Uв характеризуют ВАХ в области минимума тока. Туннельные диоды. Получаем: Координатные зависимости концентрации p(x,t) в различные моменты времени. Напряжение раствора Upp соответствует значению тока Iп на диффузионной ветви характеристики.

- Акцепторы Ge: Al, Ga, In. Подвижность. В металлах. Зависимость проводимости от концентрации примеси. 100 - 1000 см2/(Вgс). Удельное сопротивление. Зависимость сопротивления от температуры Металл Чистый полупроводник. Проводимость чистого полупроводника примесного полупроводника. Скорость дрейфа. Основы теории твердого тела. W 6.5, 6.6.

- Электрический ток в полупроводниках. Полупроводники с акцепторными примесями обладают дырочной проводимостью и называются полупроводниками p-типа. При ионной проводимости прохождение тока сопровождается переносом вещества. Закон Фарадея. I. Электрический ток в металлах. Электрический ток в жидкостях. Применение тока в металлах:

- распределение носителей Pn, инжектированных эмиттером в базу, изменяется по линейному закону . На практике довольно часто используются транзисторы, включенные по схеме с общим эмиттером . Если Vкб=0, то Iэ ~ [ exp( q * Vэб / k * T ) - 1 ] (рис.2, кривая 1). Все рассмотренные законы распределения носителей действительны только для бездрейфового транзистора. Концентрация дырок в базе увеличивается. При Vкб < 0 и Vэб=0 эмитерный ток, как следует из (2) отличается от нуля. Цепь тока Эмиттер-База замкнута. Принцип работы. Биполярные транзисторы. Цепь коллектор-база замкнута.

- Аноду. Используются 4 латинские буквы A, B, C и D, в соответствии с видом полупроводника или полупроводникового соединения. Односторонний стабилитрон. Третий элемент. Двусторонний стабилитрон. Термины, определения и буквенные обозначения параметров; 20003-74 Транзисторы биполярные. Катоду. Второй элемент- подкласс полупроводниковых приборов.

краткое содержание других презентаций о полупроводниках

бесплатно в zip-архиве. Размер архива - 1392 КБ.

всю презентацию «Диод.ppt»

Для показа на уроках Вы также можете

щёлкните на изображении правой кнопкой мышки и нажмите «Сохранить изображение как...».

Чтобы бесплатно скачать слайд для использования на уроке физики,

Переходные процессы. Обратный ток обусловлен только диффузией дырок к границе области пространственного заряда p-n перехода: Процедура нахождения кинетики обратного тока следующая. Учитывая граничные условия, решается уравнение непрерывности и находится зависимость концентрации неравновесных носителей в базе p(x,t) от времени и координаты. На рисунке приведены координатные зависимости концентрации p(x,t) в различные моменты времени. Координатные зависимости концентрации p(x,t) в различные моменты времени. Слайд 14 из презентации «Диод» к урокам физики на тему «Полупроводники» Размеры: 720 х 540 пикселей, формат: jpg.

Переходные процессы

Переходные процессы. Обратный ток обусловлен только диффузией дырок к границе области пространственного заряда p-n перехода: Процедура нахождения кинетики обратного тока следующая. Учитывая граничные условия, решается уравнение непрерывности и находится зависимость концентрации неравновесных носителей в базе p(x,t) от времени и координаты. На рисунке приведены координатные зависимости концентрацииp(x,t) в различные моменты времени. - Слайд 14 - Диод - Полупроводники - Презентации по физике